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宽禁带半导体为何能成为第三代半导体

发布时间:2020-09-29 20:02:33 所属栏目:创业 来源:网络整理
导读:副标题#e# 作者| 薛定谔的咸鱼 2020年9月27日,近期,第三代半导体产业将写入十四五规划的消息在网络上传播。第三代半导体主要是指氮化镓和碳化硅、氧化锌、氧化铝、金刚石等宽禁带半导体,它们通常都具有高击穿电

比如在高压电线杆上有时候会出现放电的现象,这种现象称之为“电晕”。高电压设备电晕放电会产生紫外线,我们只需要检测这些紫外线就能更好的监测电网设备的运行。同理也可以监测高铁等其它设备上的电晕情况。

再比如紫外探测可以检测导弹的尾焰、森林防火、船只导航等用途。

高功率器件:

用第三代半导体制作的高功率器件具有体积更小、效率更高、性能更强等特点。

比如各大厂商推出的GaN手机充电器。特别是手机开启快充时代后,手机充电器的功率越来越大,如果继续用传统材料制作手机充电器,那么体积就会太大进而不方便携带。而用GaN制作的手机充电器体积就能缩小很多。同理也可以用GaN制作笔记本电脑的电源适配器。

除了手机以外,其它更大的设备也可以使用类似的技术。比如新能源汽车的充电桩。对于电动汽车来说提高充电效率每年就可以省下不少的电力资源。同理也可以用于制作汽车上使用的IGBT。

用第三代半导体制作的器件可以在瞬间输出巨大的能量,因此它也可以被用于制作航空母舰上的电磁弹射器,或者是舰船上的电磁炮。

射频与微波:

在这方面,大家比较熟知的应该就是5G了。使用第三代半导体材料可以建造更加节能且性能更强的5G基站,而且也可以用于制作5G射频芯片。

在军用方面,第三代半导体可以用于制作包括相控阵雷达在内的各种军用雷达。在AUSA2016上,雷声公司展示了第一台全尺寸的“爱国者”下一代雷达的原型机。这种新型雷达采用了AESA体制和氮化镓(GaN)材料制成的芯片。“爱国者”防空系统原有的雷达是无源相控阵体制的AN/MPQ-53/65,其使用的是砷化镓(GaAs)材料制成的芯片。

硅还是老大哥

在前文中提到过第三代半导体和第一代、第二代半导体因为应用场景方面的问题,并不属于同一赛道。

那么现在半导体市场上主流业务是什么呢?是集成电路。而恰巧,在当前技术条件下第三代半导体不适合用于制作数字逻辑电路。第三代半导体的主战场更多的会集中在分立器件上。

根据相关新闻报道,2018年全球半导体市场规模达到4779.4亿美元,而且每年还在快速增长中。根据国外研究机构数据显示,到了2025年第三代半导体市场的规模将达到434亿美元。

但从我国半导体产业发展的角度来说,发展第三代半导体总算暂时不用被先进光刻机卡脖子了。

意法半导体(ST)新材料和电源方案事业部的创新和关键项目战略营销总监Filippo Di Giovanni预测:“随着GaN技术向更小的工艺节点演进,在达到0.15μm栅长时,GaN将挑战GaAs器件在便携式无线应用中的主导地位。”

我国先进的光刻机可能在短期内无法突破,在如果只是光刻0.15μm(150nm)的光刻机还是没有问题的。

(编辑:西安站长网)

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