内存涨得比房价还快，背后到底有什么秘密？

因此，无论是三星、SK 海力士，还是英特尔、镁光，都在积极寻求技术上的突破。

(海力士存储器工厂，图片来源：iTers News)

内存方面，海力士、镁光还在寻求制程上的突破，准备从 25nm 跃进到 20nm 以内。为此，镁光和海力士分别在台湾和中国大陆设立新厂，并加大投资。

而三星、英特尔等技术更为领先的玩家，则在研究替代 DRAM 的新型内存：

• MRAM，磁阻式随机存取内存(Magnetoresistive Random Access Memory)，主要玩家是三星和台积电，这种内存使用寿命更长，芯片面积更小，反应速度更快，因此被业内视为最有可能取代 DRAM 的技术

• RRAM，可变电阻式内存(Resistive random-access memory)，英特尔和镁光共同研发的「3D Xpoint」就属于这种，写入速度比 NAND 闪存快一万倍，比 DRAM 快 10 倍

（编辑：西安站长网）

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