国产内存爆发点来临！一文看懂中国DRAM产业崛起之路

存储器产业作为一个技术密集、资本密集、高度垄断的产业，对于后发追赶者来说向来不友好。中国存储企业要发展壮大，除了需要市场需求层面的可行性外，还需要大量的资源投入来进行技术研发，并准备好更高层面的战略博弈。这不仅是中国的道路，也是存储产业发展历史中每一个后发崛起者的道路。

纵观半导体存储器产业50年发展史，大致可以分为三个时期：1970——1982的美国主导时期；1982——1998的日本主导时期；1998至今的韩国主导时期。除美国例外，其他两国存储产业的崛起都深度绑定了社会多方力量和总体经济发展。而存储器产业的发展形式，也由单纯的“原发技术驱动”，经过“官产学共同技术驱动”，逐渐向“官产学共同技术驱动+多方面长期扶持”演变。

1、美国主导时期：原发技术驱动的半导体存储黎明

与日韩不同，美国发展存储器的时候，个人计算机还没有普及。因此当时存储器用量小，价格高，存储器的发展离商战较远，更多是以技术驱动。1969年，在诺伊斯和摩尔等初代集成电路元勋们的努力下，英特尔成功开发出第一块存储芯片——容量为64个字节的3101芯片。次年，英特尔的12号员工特德.霍夫提出了一种新的设计，将DRAM存储器单元的晶体管从四个减少到三个。这样就可以把更多的存储单元集结在一起，大大提高存储空间，达到1024个字节。这是我们如今所用DRAM的技术原型。

到了1970年，英特尔在存储器的研发上更进一步，他们开发出来容量2K的可擦除可编程只读存储器（EPROM）。1972年，英特尔更进一步开发出了世界上第一块静态随机存储器（SRAM）2102芯片。到了70、80年代，存储器的容量成指数增长，4K，16K，64K DRAM芯片先后问世。这一时期的半导体存储器基本由英特尔和MOSTEK等美国公司垄断。

2、日本存储的崛起：开创“官产学”一体发展模式

日本作为后发的追赶者，开创了顶层设计护航半导体产业的先河。1970年代的日本政府一手抓“产官学”一体推进本土半导体实力发展，一手抓进口壁垒搞产业保护。日本的半导体存储起步并不晚，1971年NEC就推出了DRAM芯片，紧追英特尔的量产DRAM。尽管如此，日本半导体的技术实力和产品性能与美国依然有巨大差距。同期的美国存储器已经用上了超大规模集成电路（VLSI），而日本还停留在上一代技术大规模集成电路（LSI）。

1976年，由日本政府的通产省牵头，以日立、三菱、富士通、东芝、NEC五大公司作为骨干，联合了日本通产省的电气技术实验室（EIL）、日本工业技术研究院电子综合研究所和计算机综合研究所，投资了720亿日元，攻坚超大规模集成电路DRAM的技术难关。为期四年的VLSI攻关项目成绩斐然，来自不同公司的团队一方面互通有无，一方面互相竞争，共取得专利1210项，商业机密347件。

（编辑：西安站长网）

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